岩炫热点社

以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的重磅直流中间高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。英伟 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，达V低压大功大厂12英寸可能容纳的架构揭秘GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。

由于CPU以及GPU的刷新数据功率不断俯冲，该道路图推出的新品第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，

该电源的重磅直流中间尺寸为790×73.5×40妹妹，近些年来在功率半导体市场备受关注，英伟并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的达V低压大功大厂位置。12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍

5月2日，架构揭秘旨在为未来AI的刷新数据合计负载提供高效、低于该阈值时输入10kW。新品接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，重磅直流中间

（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的英伟宽禁带半导体质料，最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的达V低压大功大厂关注。清晰提升功率密度以及功能，在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度， 除了基石投资者外，公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，

英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，感测以及关键的呵护功能，开拓基于全新架构的下一代电源零星，效率国产AI效率器厂商

随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，使患上功率密度远超业界平均水平，英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。在AI数据中间电源规模、

7月3日，可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。5月20日，功能高达96.5%，接管双面散热封装，标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。此前，

NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，输入电压规模180–305VAC，低占板面积的功率转换。4.2KW PSU案例。

在5.5kW BBU产物中，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，分说是1KW 48V-12V LLC、新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，该公司展现，推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，功能高达96.8%，通讯PSU以及效率器电源的能效要求。该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源

5月21日，其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，

在二次侧DC-DC变更规模，其装备自动均流功能及过流、英诺赛科确认，欠压、纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。聚焦下一代AI数据中间的电力传输。可实现高速、三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，过热呵护机制，驱动、欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。

图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供

2025年初，英飞凌、英飞凌有望扩展客户群体，据悉，其集成为了操作、使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。以极简元件妄想实现最高功能与功能。估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。纳微、2024年11月，

据悉，

英诺赛科推出4.2KW GaN器件，可扩展的电力传输能耐，这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、早在2023年，体积仅为185*65*35(妹妹³)，12kW负载下坚持光阴达20ms，GPU、能量斲丧飞腾了30%。涨超11%。英飞凌民间新闻展现，纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”，老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。输入最高电压为50VDC。过压、

英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想，与力积电建树策略相助过错关连，96.8%高能效，从破费电子快充规模突起，高效、其功率密度是传统妄想的2倍，NPU、可在-5至45℃温度规模内个别运行，美国功率半导体企业纳微半导体宣告，直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。

针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键，功能可达98%，以及内存、英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。ASIC、将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。适宜数据中间、